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簡要描述:JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射電鏡是日本電子株式會社(JEOL Ltd.)于2015年推出的一款多功能、簡單易用的分析型場發(fā)射掃描電鏡,這款高分辨率掃描電鏡是進行樣品納米級圖像顯微分析與微區(qū)化學成分分析的理想選擇。通過醉佳光闌角控制透鏡技術(shù),JSM-7200F可以在任意加速電壓下實現(xiàn)小束斑尺寸的大分析束流進而可以輕松實現(xiàn)100nm以內(nèi)的高空間分辨率分析。
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JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射電鏡產(chǎn)品介紹:
JSM-7200F是日本電子株式會社(JEOL Ltd.)于2015年推出的一款多功能、簡單易用的分析型場發(fā)射掃描電鏡,這款高分辨率掃描電鏡是進行樣品納米級圖像顯微分析與微區(qū)化學成分分析的理想選擇。
通過光闌角控制透鏡技術(shù),JSM-7200F可以在任意加速電壓下實現(xiàn)小束斑尺寸的大分析束流進而可以輕松實現(xiàn)100nm以內(nèi)的高空間分辨率分析。
JSM-7200F/LV配有大樣品倉,非常適合于搭載的能譜儀、波譜儀、EBSD相機、CL陰極發(fā)光探測器、拉伸臺、EBL以及SXES(JEOLzhuan利技術(shù),通過探測低能量的波長從而獲得樣品的化學價態(tài)信息)等分析探測器。同時,JSM-7200F具有抽屜式樣品倉可以安裝諸如加熱、拉伸以及冷凍樣品臺進行原位分析。
JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射電鏡特點:
浸沒式肖特基電子槍
浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍為日本電子的zhuan利技術(shù),通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優(yōu)化,能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子,即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現(xiàn)高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。
TTLS(through-the-lens系統(tǒng))
TTLS(through-the-lens系統(tǒng))是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統(tǒng)。 利用GB(Gentle Beam 模式)通過給樣品加以偏壓,對入射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用,即使在低加速電壓(入射電壓)下,也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外,利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓,可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下,用高位檢測器(UED)就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子,可以用高位二次電子檢測器(USD,選配件)檢測出來,因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。
混合式物鏡(電磁場疊加)
JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡,比傳統(tǒng)的out-lens像差小,能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡規(guī)格:
JSM-7200F | SM-7200F/LV | |
分辨率 | 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV),1.8nm (30kV, LV ) |
放大倍率 | ×10~×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
加速電壓 | 0.01kV~30kV | |
束流 | 1pA~300nA | |
自動光闌角zei佳控制透鏡ACL | 內(nèi)置 | |
大景深模式 | 內(nèi)置 | |
檢測器 | 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) | |
樣品臺 | 5軸馬達驅(qū)動樣品臺 | |
樣品移動范圍 | X:70mm Y:50mm Z:2mm~41mm 傾斜-5~+70° 旋轉(zhuǎn)360° | |
低真空范圍 | - | 10pa~300pa |
主要選配件:
可插拔式背散射電子探頭(RBED)
高位二次電子探頭(USD)
低真空二次電子探頭(LV-SED)
能譜儀(EDS)
波譜儀(WDS)
電子背散射衍射系統(tǒng)(EBSD)
陰極熒光系統(tǒng)(CLD)
樣品臺導航系統(tǒng)(SNS)
電子束曝光系統(tǒng)
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